1400°真空/气氛管式炉(TF)
时间:2019-04-30 点击:(1552)
使用温度范围 300~1400℃ 温度控制精度 ±1℃ 管径φ40φ50φ60 φ80
提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境,应用在半导体、纳米技术、碳纤维等领域
■产品用途:
此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
■产品特点:
上一篇:1200℃ 开启式真空/气氛管式炉CVD系统(CVD-TF)
下一篇:箱式电阻炉(SX、SRJX) |